买卖IC网 >> 产品目录 >> CFY 25-20P (H) 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

CFY 25-20P (H)

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
CFY 25-20P (H) PDF下载
制造商 Infineon Technologies
技术类型 MESFET
频率 12 GHz
增益 9 dB
噪声系数 1.9 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） 40 mS
漏源电压 VDS 5 V
闸/源击穿电压 - 5 V to 0.5 V
漏极连续电流 80 mA
最大工作温度 + 175 C
功率耗散 250 mW
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Micro-X
相关资料
属性
链接
代理商 CFY 25-20P (H)
CFY25-20(P)
CFY25-20(S)
CFY25-20P(H)
CFY25-20P(P)
CFY25-23(P)
供应商
公司名
电话
深圳市企诺德电子有限公司 13480313979 胡
深圳市世锐科技有限公司 13724335556 陶巍
深圳市华创欧科技有限公司 23945755 朱先生
深圳市一线半导体有限公司 0755-83789203 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市众多星电子有限公司 13425282350 欧先生
  • CFY 25-20P (H) 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
  • CFY 25-20P (H) 相关型号
  • CFY 25-20P (P)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    CFY25-20 (S)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    NE25118-T1-U73
    射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
    CFY25-23 (P)
    射频GaAs晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
    NE8500295-8
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
    NE651R479A
    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
    NE25118-U73
    射频GaAs晶体管 Dual Gate MESFET
    NE72218
    射频GaAs晶体管 RO 551-NE34018 5/04
    NE8500295-4
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET
    NE8500295-6
    射频GaAs晶体管 2W C Band MESFET